| VS-10ETS12-M3 | |
|---|---|
| Қисми рақамӣ | VS-10ETS12-M3 |
| Истеҳсолкунанда | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Тавсифи | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC |
| Миқдори кам | 2541 pcs new original in stock. Шабака ва дархостро дархост кунед |
| Модели ECAD | |
| Маълумотнома | 1.VS-10ETS12-M3.pdf2.VS-10ETS12-M3.pdf3.VS-10ETS12-M3.pdf |
| VS-10ETS12-M3 Price |
Дархости нарх ва вақти эфирӣ Online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Маълумоти техникии VS-10ETS12-M3 | |||
|---|---|---|---|
| Нишондиҳандаи адад | VS-10ETS12-M3 | Категория | Пайвастшавӣ, Пайвастшавӣ |
| Истеҳсолкунанда | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | Тавсифи | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC |
| Пакети / Кадом | TO-220AC | Миқдори кам | 2541 pcs |
| Voltage - Формат (Vf) (Max) @ Агар | 1.1 V @ 10 A | Voltage - DC Бозгашт (VR) (Максим) | 1200 V |
| Технология | Standard | Гирифтани дастгоҳи дастгоҳ | TO-220AC |
| Суръат | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Силсила | - |
| Пакети / Кадом | TO-220-2 | Пакет | Tube |
| Ҳарорат дар амал | -40°C ~ 150°C | Навъи таваллуд | Through Hole |
| Ҳозир - Бозгашти бозгашт В. | 50 µA @ 1200 V | Акнун - миёнаи ислоҳшуда (Io) | 10A |
| Capacitance @ Vr, F | - | Рақами Маҳсулоти Basic | 10ETS12 |
| Бор кунед | VS-10ETS12-M3 PDF - EN.pdf | ||
Ба мо тавассути почтаи электронӣ: Info@Ariat-Tech.com ё RFQ VS-10ETS12-M3 Online.
| VS-10ETS12-M3 саҳҳомӣ | VS-10ETS12-M3 Нархаш | VS-10ETS12-M3 Электроника |
| Компонентҳои VS-10ETS12-M3 | VS-10ETS12-M3 Инвентаризатсия | VS-10ETS12-M3 Диккати |
| Таъминкунанда VS-10ETS12-M3 | Фармоиш VS-10ETS12-M3 Online | Маълумот VS-10ETS12-M3 |
| Сурати VS-10ETS12-M3 | VS-10ETS12-M3 Расм | VS-10ETS12-M3 PDF |
| Варақаи VS-10ETS12-M3 | Download MVS-10ETS12-M3 Datasheet | Истеҳсолкунанда Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
